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BFP740FESDH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

TSFP-4

描述:

INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 晶体管双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BFP740FESDH6327XTSA1 数据手册 (28 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在27 页

BFP740FESDH6327XTSA1 数据手册 (28 页)

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BFP740FESDH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TSFP-4

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

160 mW

输入电容

0.5 pF

击穿电压(集电极-发射极)

4.7 V

增益

9dB ~ 31dB

最小电流放大倍数

160 @25mA, 3V

额定功率(Max)

160 mW

直流电流增益(hFE)

160

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

160 mW

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BFP740FESDH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.4 mm

宽度

0.8 mm

高度

0.55 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BFP740FESDH6327XTSA1 符合标准

BFP740FESDH6327XTSA1 海关信息

BFP740FESDH6327XTSA1 概述

BFP740FESDH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.59 MByte

BFP740FESDH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BFP740FESDH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

29 页 / 1.82 MByte

BFP740FESDH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

22 页 / 0.9 MByte

BFP740FESDH6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon

BFP 740FESD H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BFP 740FESD H6327 晶体管双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE

BFP740FESD H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

BFP740FESDH6327XTSA1 数据手册

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INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 晶体管双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE

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