BFR106 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 80 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT23 envelope. It is primarily intended for low noise, general RF applications. 描述与应用| 5 GHz的宽带晶体管NPN 说明 硅NPN平面外延晶体管在一个塑料SOT23信封。它的主要目的是为噪音低，一般的RF应用。