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BFR 106 E6327
0.072
BFR 106 E6327 数据手册 (8 页)
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BFR 106 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
15.0 V
额定电流
210 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.7 W
功耗
700 mW
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
8.5dB ~ 13dB
最小电流放大倍数
70 @70mA, 8V
额定功率(Max)
700 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
700 mW

BFR 106 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFR 106 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.59 MByte

BFR106 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BFR106  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Philips(飞利浦)
Yageo(国巨)
New Jersey Semiconductor
Infineon(英飞凌)
BFR106 系列 15 V 210 mA 低噪声 硅 双极 RF 晶体管 - PG-SOT23-3
NXP(恩智浦)
NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
三极管(BJT) BFR106E6327 SOT-23
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
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