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BFR 182W E6327
0.739
BFR 182W E6327 数据手册 (6 页)
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BFR 182W E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
120 mA
封装
SOT-323-3
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
19 dB
最小电流放大倍数
70 @10mA, 8V
额定功率(Max)
250 mW

BFR 182W E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

BFR 182W E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.65 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.01 MByte

BFR182 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Intertechnology
ITT Corporation(ITT电子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR182WH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR182E6327HTSA1  射频晶体管, NPN, 12V, SOT-23
Infineon(英飞凌)
三极管(BJT) BFR182E6327 SOT-23
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