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BFR182WH6327XTSA1
0.053
BFR182WH6327XTSA1 数据手册 (6 页)
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BFR182WH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
250 mW
输入电容
0.8 pF
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
19 dB
最小电流放大倍数
70 @10mA, 8V
额定功率(Max)
250 mW
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BFR182WH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFR182WH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.65 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.5 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.99 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BFR182WH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR 182W H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR182WH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
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