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BFR35AP
0.279
BFR35AP 数据手册 (3 页)
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BFR35AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
最小电流放大倍数
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
280 mW

BFR35AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm

BFR35AP 数据手册

Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.02 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.02 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.49 MByte

BFR35 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管低噪声射频宽带放大器和高速开关应用 NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW-NOISE RF BROADBAND AMPLIFIERS AND HIGH-SPEED SWITCHING APPLICATIONS
Infineon(英飞凌)
Infineon BFR35APE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 45 mA, Vce=15 V, HFE:70, 5 GHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
射频双极晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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