BFS17 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 1GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 90 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 1 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS A wide range of RF applications such as:Mixers and oscillators in TV tuners RF communications equipment. 描述与应用| NPN1 GHz的宽带晶体管 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 应用 广泛的射频应用，如：混频器和振荡器在电视调谐器射频通讯设备。