BFS19 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 30mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 260MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 65~225 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN medium frequency transistor FEATURES • IC(max) = 25 mA • VCEO(max) = 20 V. APPLICATIONS • Medium frequency applications in thick and thin-film circuits. DESCRIPTION NPN medium frequency transistor in a SOT23 plastic package. 描述与应用| NPN中频晶体管 特点 •IC（最大值）= 25 mA的 •VCEO（最大值）=20 V。 应用 中频应用在厚薄膜电路。 说明 NPN中频晶体管在SOT23塑料包装。