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BFU550R
0.199
BFU550R 数据手册 (22 页)
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BFU550R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
11000 MHz
引脚数
4 Pin
封装
TO-253-4
针脚数
4 Position
功耗
450 mW
输入电容
1.11 pF
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
21 dB
最小电流放大倍数
60 @15mA, 8V
额定功率(Max)
450 mW
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
450 mW

BFU550R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

BFU550R 数据手册

NXP(恩智浦)
22 页 / 0.29 MByte
NXP(恩智浦)
3 页 / 0.21 MByte

BFU550 数据手册

NXP(恩智浦)
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE
NXP(恩智浦)
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE
NXP(恩智浦)
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE
NXP(恩智浦)
11 GHz 12 Vce NPN 18 db 450 mW 宽带 硅 RF 晶体管 - SC-70
NXP(恩智浦)
12 V 11 GHz NPN 450 mW 21.5 dB 增益 宽带 硅 RF 晶体管 - SOT143R
NXP(恩智浦)
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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