￥ 0.603

BFU590GX 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-261-4

描述:

晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BFU590GX 数据手册 (19 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在15 页

原理图在13 页 14 页

BFU590GX 数据手册 (19 页)

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BFU590GX 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

功耗

2 W

输入电容

3.9 pF

增益频宽积

8.5 GHz

击穿电压(集电极-发射极)

12 V

增益

8 dB

最小电流放大倍数

60 @80mA, 8V

最大电流放大倍数

130

额定功率(Max)

2 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

BFU590GX 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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BFU590GX 符合标准

BFU590GX 海关信息

BFU590GX 概述

BFU590GX 数据手册

NXP（恩智浦）

19 页 / 0.27 MByte

BFU590GX 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

5 页 / 0.3 MByte

BFU590GX 产品修订记录

NXP（恩智浦）

3 页 / 0.21 MByte

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晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

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晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

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