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器件3D模型
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BGT24MTR12 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
VQFN-32-9
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
BGT24MTR12 数据手册 (28 页)
引脚图
在
17 页
Hot
封装尺寸
在
26 页
典型应用电路图
在
23 页
原理图
在
8 页
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BGT24MTR12 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
VQFN-32-9
增益
26.0 dB
查看数据手册 >
BGT24MTR12 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
查看数据手册 >
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BGT24MTR12 数据手册
BGT24MTR12
数据手册
Infineon(英飞凌)
28 页 / 1.82 MByte
BGT24MTR12
产品设计参考手册
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
BGT24MTR12
其他数据使用手册
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.52 MByte
BGT24MTR12
开发手册
Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.96 MByte
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MTR11E6327XUMA1
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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射频收发器 MM-WAVE-MMICS
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射频开关 BGT24AR2E6433XUMA1 VQFN-32-EP(4.5x5.5)
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