BS170

￥ 0.087

BS170 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-226-3

描述:

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BS170 数据手册 (4 页)

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封装尺寸在4 页

BS170 数据手册 (4 页)

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BS170 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

500 mA

封装

TO-226-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

极性

N-Channel

功耗

350 mW

阈值电压

2.1 V

输入电容

60.0 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

500 mA

输入电容值(Ciss)

60pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

830 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

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BS170 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BS170 符合标准

BS170 概述

BS170 数据手册

BS170 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.09 MByte

BS170 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.08 MByte

BS170 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.45 MByte

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