￥ 0.869

BSB028N06NN3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

MG-WDSON-2

描述:

INFINEON BSB028N06NN3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSB028N06NN3 G 数据手册 (11 页)

封装尺寸在1 页 8 页

BSB028N06NN3 G 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSB028N06NN3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

MG-WDSON-2

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0022 Ω

极性

N-Channel

功耗

78 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

78 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.2W (Ta), 78W (Tc)

查看数据手册 >

BSB028N06NN3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSB028N06NN3 G 符合标准

BSB028N06NN3 G 海关信息

BSB028N06NN3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.72 MByte

BSB028N06NN3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.5 MByte

BSB028N06NN3 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSB028N06NN3GXUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSB028N06NN3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V

BSB028N06NN3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSB028N06NN3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V

BSB028N06NN3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号