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BSB044N08NN3GXUMA1
2.207
BSB044N08NN3GXUMA1 数据手册 (11 页)
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BSB044N08NN3GXUMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
REEL
额定功率
78 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0037 Ω
极性
N-Channel
功耗
78 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
80 V
连续漏极电流(Ids)
18A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
4300pF @40V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2200 mW

BSB044N08NN3GXUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-40℃ ~ 150℃

BSB044N08NN3GXUMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.87 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
95 页 / 1.21 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSB044N08NN3 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSB044N08NN3GXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSB044N08NN3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET
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