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BSC009NE2LS5
3.692
BSC009NE2LS5 数据手册 (13 页)
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BSC009NE2LS5 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SuperSO-8
极性
N-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
41A

BSC009NE2LS5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSC009NE2LS5 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 1.5 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC009NE2 数据手册

Infineon(英飞凌)
BSC009NE2LS5 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC009NE2LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00075 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC009NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00075 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 25V 40A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSC009NE2LS5 TDSON-8-EP(5x6)
Infineon(英飞凌)
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