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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSC009NE2LS5IATMA1 Datasheet 文档
BSC009NE2LS5IATMA1
1.002
BSC009NE2LS5IATMA1 数据手册 (13 页)
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BSC009NE2LS5IATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
额定功率
74 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
极性
N-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
40A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @12V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

BSC009NE2LS5IATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
5.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC009NE2LS5IATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 1.53 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
66 页 / 6.48 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC009NE2LS5 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSC009NE2LS5 TDSON-8-EP(5x6)
Infineon(英飞凌)
BSC009NE2LS5 编带
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
N沟道 25V 40A
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