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BSC014N04LS
0.512
BSC014N04LS 数据手册 (11 页)
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BSC014N04LS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SuperSO-8
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0011 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
连续漏极电流(Ids)
32A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
4300pF @20V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)

BSC014N04LS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.9 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.27 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSC014N04LS 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.66 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
13 页 / 1.56 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC014N04 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC014N04LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC014N04LSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC014N04LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC014N04LSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
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