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BSC014N06NS
2.096
BSC014N06NS 数据手册 (10 页)
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BSC014N06NS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0012 Ω
极性
N-Channel
功耗
156 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
30A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
6500pF @30V(Vds)
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 156W (Tc)

BSC014N06NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.9 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.27 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC014N06NS 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.53 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 2.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC014N06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC014N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC014N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V
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