￥ 0.438

BSC016N06NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC016N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC016N06NS 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BSC016N06NS 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSC016N06NS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0014 Ω

极性

N-Channel

功耗

139 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

30A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

5200pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

139 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

查看数据手册 >

BSC016N06NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6 mm

宽度

5 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSC016N06NS 符合标准

BSC016N06NS 海关信息

BSC016N06NS 概述

BSC016N06NS 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.59 MByte

BSC016N06NS 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC016N06NS 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC016N06NS 开发手册

Infineon（英飞凌）

39 页 / 1.51 MByte

BSC016N06 数据手册

BSC016N06NSATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC016N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

BSC016N06NS 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC016N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

BSC016N06NSTATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号