￥ 0.395

BSC018NE2LS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

25V,1.8mΩ,100A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC018NE2LS 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BSC018NE2LS 数据手册 (10 页)

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BSC018NE2LS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TDSON-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.8 mΩ

极性

N-CH

功耗

69 W

阈值电压

1.2V ~ 2V

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

25 V

连续漏极电流(Ids)

29A

上升时间

4.4 ns

下降时间

3.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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BSC018NE2LS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC018NE2LS 符合标准

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