￥ 0.951

BSC036NE7NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC036NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC036NE7NS3GATMA1 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSC036NE7NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

额定功率

156 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0029 Ω

极性

N-Channel

功耗

156 W

阈值电压

3.1 V

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @37.5V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 156W (Tc)

查看数据手册 >

BSC036NE7NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSC036NE7NS3GATMA1 符合标准

BSC036NE7NS3GATMA1 概述

BSC036NE7NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.57 MByte

BSC036NE7NS3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC036NE7NS3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

BSC036NE7NS3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC036NE7NS3GATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

BSC036NE7NS3 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSC036NE7NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC036NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V

BSC036NE7NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC036NE7NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V

BSC036NE7NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

75V,100A,3.6mΩ,N沟道MOSFET

BSC036NE7NS3GXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号