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BSC077N12NS3GATMA1
1.432
BSC077N12NS3GATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC077N12NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
额定功率
139 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0066 Ω
极性
N-Channel
功耗
139 W
阈值电压
3 V
输入电容
4300 pF
漏源极电压(Vds)
120 V
连续漏极电流(Ids)
13.4A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
4300pF @60V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
139W (Tc)

BSC077N12NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.35 mm
宽度
6.1 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSC077N12NS3GATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
58 页 / 1.14 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte

BSC077N12NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC077N12NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 120 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC077N12NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 120 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
120V,98A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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