￥ 0.465

BSC098N10NS5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

100V,9.8mΩ,60A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC098N10NS5 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSC098N10NS5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDSON-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

8.2 mΩ

极性

N-CH

功耗

69 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

60A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1600pF @50V(Vds)

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

查看数据手册 >

BSC098N10NS5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

BSC098N10NS5 符合标准

BSC098N10NS5 海关信息

BSC098N10NS5 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.19 MByte

BSC098N10NS5 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC098N10NS5 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC098N10NS5 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC098N10 数据手册

BSC098N10NS5ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

BSC098N10NS5 数据手册

Infineon（英飞凌）

100V,9.8mΩ,60A,N沟道功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号