BSC123N08NS3GATMA1

￥ 0.56

BSC123N08NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC123N08NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC123N08NS3GATMA1 数据手册 (9 页)

BSC123N08NS3GATMA1 数据手册 (9 页)

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BSC123N08NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

额定功率

66 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0103 Ω

极性

N-Channel

功耗

66 W

阈值电压

2.8 V

输入电容

1430 pF

漏源极电压(Vds)

80 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

1430pF @40V(Vds)

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 66W (Tc)

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BSC123N08NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.35 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSC123N08NS3GATMA1 符合标准

BSC123N08NS3GATMA1 概述

BSC123N08NS3GATMA1 数据手册

BSC123N08NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.57 MByte

BSC123N08NS3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC123N08NS3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC123N08NS3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC123N08NS3GATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

BSC123N08NS3 数据手册

BSC123N08NS3GATMA1 数据手册

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INFINEON BSC123N08NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V

BSC123N08NS3 G 数据手册

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INFINEON BSC123N08NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V

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