￥ 6.705

BSC190N12NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 120 V, 0.0166 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC190N12NS3GATMA1 数据手册 (84 页)

封装尺寸在81 页

原理图在8 页

BSC190N12NS3GATMA1 数据手册 (84 页)

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BSC190N12NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

额定功率

69 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0166 Ω

极性

N-CH

功耗

69 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

120 V

连续漏极电流(Ids)

8.6A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

2300pF @60V(Vds)

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

69W (Tc)

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BSC190N12NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSC190N12NS3GATMA1 符合标准

BSC190N12NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

84 页 / 1.91 MByte

BSC190N12NS3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC190N12NS3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

66 页 / 2.56 MByte

BSC190N12NS3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

432 页 / 1.76 MByte

BSC190N12NS3GATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

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