￥ 0.482

BSC190N15NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

INFINEON BSC190N15NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC190N15NS3 G 数据手册 (9 页)

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BSC190N15NS3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.016 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

150 V

上升时间

53 ns

输入电容值(Ciss)

1820pF @75V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

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BSC190N15NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.35 mm

宽度

6.1 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC190N15NS3 G 符合标准

BSC190N15NS3 G 概述

BSC190N15NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.55 MByte

BSC190N15NS3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 0.87 MByte

BSC190N15NS3 数据手册

BSC190N15NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC190N15NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V

BSC190N15NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC190N15NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V

BSC190N15NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

150V,50A,N沟道功率MOSFET

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