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BSC340N08NS3GATMA1
0.262
BSC340N08NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSC340N08NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
额定功率
32 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0275 Ω
极性
N-Channel
功耗
32 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
80 V
漏源击穿电压
80 V
连续漏极电流(Ids)
7A
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
756pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
32 W
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 32W (Tc)

BSC340N08NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.9 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.27 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSC340N08NS3GATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.57 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
296 页 / 2.77 MByte
Infineon(英飞凌)
416 页 / 5.83 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte

BSC340N08NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC340N08NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 80 V, 0.0275 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC340N08NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 80 V, 0.0275 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
80V,23A,N沟道功率MOSFET
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