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BSC520N15NS3GXT
3.427
BSC520N15NS3GXT 数据手册 (10 页)
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BSC520N15NS3GXT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
21A
上升时间
4 ns
下降时间
3 ns

BSC520N15NS3GXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC520N15NS3GXT 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.64 MByte

BSC520N15NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC520N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC520N15NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
150V,21A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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