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BSD840NH6327XTSA1
0.073
BSD840NH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSD840NH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363-6
额定功率
0.5 W
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.27 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
550 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
±20 V
连续漏极电流(Ids)
0.88A
上升时间
2.2 ns
输入电容值(Ciss)
55pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
下降时间
0.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BSD840NH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSD840NH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

BSD840NH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSD840N H6327  场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.88A, SOT-363-6
Infineon(英飞凌)
20V,400mΩ,0.88A,双N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSD840NH6327XTSA1  场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.88A, SOT-363-6
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