￥ 1.26

BSG0811NDATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TISON-8

描述:

BSG0811ND 系列 25 V 3/0.8 mOhm Dual N沟道 OptiMOS™ 功率-晶体管-PG-TISON8-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSG0811NDATMA1 数据手册 (15 页)

封装尺寸在13 页

BSG0811NDATMA1 数据手册 (15 页)

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BSG0811NDATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TISON-8

额定功率

6.25 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0024 Ω

极性

N-CH

功耗

6.25 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

31A/50A

输入电容值(Ciss)

1100pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

6250 mW

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BSG0811NDATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSG0811NDATMA1 符合标准

BSG0811NDATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.67 MByte

BSG0811NDATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSG0811NDATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSG0811NDATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSG0811NDATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

BSG0811 数据手册

BSG0811NDATMA1 数据手册

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BSG0811ND 系列 25 V 3/0.8 mOhm Dual N沟道 OptiMOS™ 功率-晶体管-PG-TISON8-4

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场效应管(MOSFET) BSG0811ND TISON8-4-EP(6x5)

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