BSH111,215

￥ 0.05

BSH111,215 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

NXP BSH111,215. 场效应管, MOSFET, N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSH111,215 数据手册 (14 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在11 页

BSH111,215 数据手册 (14 页)

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BSH111,215 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

830 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

335 mA

输入电容值(Ciss)

40pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

830 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

830 mW

查看数据手册 >

BSH111,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSH111,215 符合标准

BSH111,215 概述

BSH111,215 数据手册

BSH111,215 数据手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.36 MByte

BSH111,215 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

39 页 / 0.75 MByte

BSH111,215 产品修订记录

NXP（恩智浦）

72 页 / 3.63 MByte

BSH111,215 其他参考文件

NXP（恩智浦）

1 页 / 0.13 MByte

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