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BSL211SP
0.15
BSL211SP 数据手册 (8 页)
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BSL211SP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-4.70 A
封装
TSOP-6-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
67 mΩ
极性
P-CH
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
4.70 A
上升时间
13.9 ns
输入电容值(Ciss)
654pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
23.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

BSL211SP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.5 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSL211SP 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.07 MByte

BSL211 数据手册

Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
P-Channel 20 V 67 mOhm OptiMOS甋mall-Signal-Transistor-P-TSOP6-6
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSL211SP L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -900 mV
Infineon(英飞凌)
20V,-4.7A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
20V,67mΩ,-4.7A,P沟道小信号MOSFET
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