BSL308PE H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装

双路场效应管, MOSFET, N和P, 2.3 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.6 V

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

的OptiMOS ™ P3 +的OptiMOS ™ 2小信号晶体管 OptiMOS? P3 + Optimos? 2 Small Signal Transistor

30V,-2.1A,双P沟道功率MOSFET

2个P沟道 30V 2A