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BSL308PEH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

Infineon OptiMOS P 系列双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSL308PEH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSL308PEH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

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BSL308PEH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

额定功率

0.5 W

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.062 Ω

极性

P-CH

功耗

500 mW

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

7.7 ns

输入电容值(Ciss)

500pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

下降时间

2.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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BSL308PEH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSL308PEH6327XTSA1 符合标准

BSL308PEH6327XTSA1 概述

BSL308PEH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.35 MByte

BSL308PEH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSL308PEH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSL308PEH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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