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BSL316CH6327XTSA1
0.145
BSL316CH6327XTSA1 数据手册 (13 页)
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BSL316CH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOP-6-6
额定功率
0.5 W
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.119 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.4A/1.5A
输入电容值(Ciss)
282pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BSL316CH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSL316CH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.55 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

BSL316CH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 双电源 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
30/30V,150/160mΩ,-1.5/1.4A,P/N沟道互补型MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSL316CH6327XTSA1  双路场效应管, MOSFET, N和P, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V 新
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