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BSM100GB120DN2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

Half Bridge2

描述:

IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSM100GB120DN2 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页 10 页

典型应用电路图在9 页

BSM100GB120DN2 数据手册 (11 页)

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BSM100GB120DN2 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

Half Bridge2

功耗

800 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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BSM100GB120DN2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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长度

106.4 mm

宽度

61.4 mm

高度

30 mm

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BSM100GB120DN2 符合标准

BSM100GB120DN2 数据手册

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