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BSM120D12P2C005 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

Module

描述:

ROHM BSM120D12P2C005 单晶体管双极, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSM120D12P2C005 数据手册 (11 页)

封装尺寸在1 页

典型应用电路图在1 页

BSM120D12P2C005 数据手册 (11 页)

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BSM120D12P2C005 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

10 Pin

封装

Module

通道数

1 Channel

极性

N-Channel

功耗

780 W

阈值电压

2.7 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

14000pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

780 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

935000 mW

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BSM120D12P2C005 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

122 mm

宽度

45.6 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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BSM120D12P2C005 符合标准

BSM120D12P2C005 海关信息

BSM120D12P2C005 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

11 页 / 0.69 MByte

BSM120D12P2C005 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

33 页 / 6.15 MByte

BSM120D12P2C005 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

BSM120D12P2C005 产品描述及参数

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.24 MByte

BSM120D12P2C005 产品修订记录

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2 页 / 0.16 MByte

BSM120D12P2 数据手册

BSM120D12P2C005 数据手册

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ROHM BSM120D12P2C005 单晶体管双极, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V

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