￥ 94.486

BSM35GD120DN2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

ECONO2-2

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSM35GD120DN2 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

典型应用电路图在9 页

BSM35GD120DN2 数据手册 (10 页)

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BSM35GD120DN2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

17 Pin

封装

ECONO2-2

功耗

280 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

2nF @25V

额定功率(Max)

280 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

耗散功率(Max)

280000 mW

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BSM35GD120DN2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

107.5 mm

宽度

45.5 mm

高度

17 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BSM35GD120DN2 符合标准

BSM35GD120DN2 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.31 MByte

BSM35GD120DN2 其他数据使用手册

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