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BSO211PHXUMA1
0.31
BSO211PHXUMA1 数据手册 (9 页)
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BSO211PHXUMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-DSO-8
额定功率
1.6 W
极性
P-CH
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
4A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
1095pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.6 W
下降时间
27 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6 W

BSO211PHXUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSO211PHXUMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.5 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSO211 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
20V,-4A,双P沟道功率MOSFET
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