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BSO612CV G
8.273
BSO612CV G 数据手册 (14 页)
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BSO612CV G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
PG-DSO-8
通道数
2 Channel
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
340pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

BSO612CV G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSO612CV G 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

BSO612 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N/P沟道 MOSFET BSO612CVGHUMA1, 2 A、3 A, Vds=60 V, 8引脚 DSO封装
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 和 P 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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