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BSO615CG
器件3D模型
0.488
BSO615CG 数据手册 (13 页)
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BSO615CG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
3.10 A
封装
SO-8
极性
N-Channel, P-Channel
输入电容
380 pF
栅电荷
22.5 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
输入电容值(Ciss)
380pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

BSO615CG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.45 mm

BSO615CG 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.42 MByte

BSO615 数据手册

Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSO615N G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSO615CGHUMA1  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSO615NGHUMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 和 P 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
60V,2.6A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSO615C G  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
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