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BSP125 L6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

INFINEON BSP125 L6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP125 L6327 数据手册 (8 页)

BSP125 L6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

120 mA

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

25 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.8 W

阈值电压

1.9 V

输入电容

150 pF

栅电荷

6.60 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

120 mA

上升时间

14.4 ns

输入电容值(Ciss)

150pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

下降时间

110 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1800 mW

查看数据手册 >

BSP125 L6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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BSP125 L6327 符合标准

BSP125 L6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.34 MByte

BSP125 L6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

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