Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSP125 L6433 Datasheet 文档
BSP125 L6433
1.291
BSP125 L6433 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSP125 L6433 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
通道数
1 Channel
漏源极电阻
45000 mΩ
功耗
1.8 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
上升时间
14.4 ns
输入电容值(Ciss)
150pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.8 W
下降时间
14.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP125 L6433 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm

BSP125 L6433 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.61 MByte

BSP125 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
600V,45000mΩ,0.12A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
600V,0.12A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP125 L6327  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z