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BSP129 H6327
0.177
BSP129 H6327 数据手册 (9 页)
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BSP129 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
通道数
1 Channel
功耗
1.8 W
阈值电压
2.1 V
上升时间
4.1 ns
输入电容值(Ciss)
82pF @25V(Vds)
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP129 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSP129 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.58 MByte
Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.88 MByte

BSP129 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP129  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
240V,6000mΩ,0.05A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
240V,0.05A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP129 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4.2 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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