￥ 2.264

BSP149 L6906 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

INFINEON BSP149 L6906 晶体管, MOSFET, N沟道, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, -1.4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP149 L6906 数据手册 (27 页)

封装尺寸在25 页

典型应用电路图在1 页

原理图在5 页

BSP149 L6906 数据手册 (27 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSP149 L6906 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

140 mA

封装

SOT-223-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.8 W

输入电容

430 pF

栅电荷

14.0 nC

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

140 mA

上升时间

3.4 ns

下降时间

3.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

查看数据手册 >

BSP149 L6906 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

查看数据手册 >

BSP149 L6906 符合标准

BSP149 L6906 数据手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.41 MByte

BSP149 L6906 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.4 MByte

BSP149 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSP149 晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 V

BSP149 数据手册

Siemens AG

BSP149H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号晶体管-PG-SOT-223

BSP149 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 200V 660mA

BSP149H6906XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSP149H6906XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, -1.4 V

BSP149L6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

200V,0.14A,N沟道功率MOSFET

BSP149 L6906 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSP149 L6906 晶体管, MOSFET, N沟道, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, -1.4 V

BSP149 H6906 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BSP149L6906HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSP149L6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号