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BSP170PL6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP170PL6327HTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSP170PL6327HTSA1 数据手册 (9 页)

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BSP170PL6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-223-4

极性

P-CH

功耗

1.8W (Ta)

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.9A

输入电容值(Ciss)

410pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

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BSP170PL6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP170PL6327HTSA1 符合标准

BSP170PL6327HTSA1 概述

BSP170PL6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.55 MByte

BSP170PL6327HTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.28 MByte

BSP170PL6327HTSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.16 MByte

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INFINEON BSP170P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.239 ohm, -10 V, -3 V

BSP170PL6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,-1.9A,P沟道功率MOSFET

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