输入电容值(Ciss)
460pF @25V(Vds)
●表面贴装型 P 通道 60 V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
Infineon（英飞凌）
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Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平额定雪崩） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
Infineon（英飞凌）
60V,-1.9A P沟道功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSP171P H6327 PG-SOT223-4
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
60V,-1.9A P沟道功率MOSFET
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