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BSP295H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSP295H6327XTSA1 数据手册 (8 页)

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BSP295H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223-4

额定功率

1.8 W

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.22 Ω

极性

N-CH

功耗

1.8 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.8A

上升时间

9.9 ns

输入电容值(Ciss)

368pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

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BSP295H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP295H6327XTSA1 符合标准

BSP295H6327XTSA1 海关信息

BSP295H6327XTSA1 概述

BSP295H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.43 MByte

BSP295H6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSP295H6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSP295H6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSP295H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,300mΩ,1.8A,N沟道小信号MOSFET

BSP295 H6327 数据手册

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