￥ 0

BSP315P-E6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

SIPMOSÃ ？小信号三极管 SIPMOSÃ Small-Signal-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP315P-E6327 数据手册 (9 页)

BSP315P-E6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-1.17 A

封装

SOT-223-4

极性

P-CH

功耗

1.8W (Ta)

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.17 A

上升时间

9.00 ns

输入电容值(Ciss)

160pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

查看数据手册 >

BSP315P-E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSP315P-E6327 符合标准

BSP315P-E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.2 MByte

BSP315P-E6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.08 MByte

BSP315 数据手册

Siemens Semiconductor（西门子）

P沟道 50V 1A

BSP315 数据手册

Infineon（英飞凌）

SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

BSP315PH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BSP315PL6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,-1.17A,P沟道功率MOSFET

BSP315P 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSP315P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V

BSP315P H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSP315PH6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET

BSP315PL6327HTSA1 数据手册