￥ 0.269

BSP315PH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP315PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSP315PH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

额定功率

1.8 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.5 Ω

极性

P-CH

功耗

1.8 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.17A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8 W

查看数据手册 >

BSP315PH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSP315PH6327XTSA1 符合标准

BSP315PH6327XTSA1 概述